влевовправо
КП303И транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)
- В наявності
- Код: КП303И Au
71,80 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КП303И транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)В наявності
71,80 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
КП303І транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)
| Найменування | КП303І ТО-72 Транзистор |
| Функціональний тип | польовою |
| Типорозмір корпусу вітчизняний | КТ-1-12 |
| Структура | N-FET |
| Дата випуску | от 1989г |
| Торгова марка | АО Елекс, Олександрів |
| Країна походження | СРСР |
| ТУ | Ц20.336.601 ТУ |
| Тип приймання | "1" |
| Матеріал корпусу | металостекскований |
| Тип виведення | гнучкий |
| Покриття виводів або контактів | Au |
| Робоче положення | будь-яка |
| Фактичне маркування | 3ИС6 |
| Наявність паспорта — етикетки | паспорт |
| Тип паковання | картонна коробка |
| Доупаковка | картонна пластина |
| Стан паковання | заводська |
| Кратність відвантаження | 1 |
| Габаритні розміри L*W*H | 5,8х19 |
| Висота корпусу | 5,3 mm |
| Довжина виводів | 13,7 mm |
| Маса виробу, г. | 0,34 |
| Вміст золота в 1 шт., gr | 0,00903 |
| Англійська транскрипція | Transistor KP303I |
| Напруга стік-висток | 25 V |
| Напруга затвора | 30 V |
| Ток стока | 20 mA |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 mW |
Танзистор КП303І кремнієвий епітаксиально-планарний польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу, напруга відсікання транзистора — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти з високим вхідним опором.
Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303І:
| Тип польового транзизора |
Р МАКС | f МАКС | Граничні значення параметрів за Т = 25 °C | Значення параметрів за Т = 25 °C | Т ОКР | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗІ МАКС | IС МАКС | UЗІ ВІДС | g22И | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | КШ | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | мКСм | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | °С | |
| КП303А | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...3 | - | <1 | 1…4 | 0,5...2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Б | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...3 | - | <1 | 1…4 | 0,5...2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303В | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 1…4 | - | <1 | 2…5 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Г | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <0,1 | 3…7 | 3…12 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Д | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >2,6 | 3…9 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Е | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >4 | 5…20 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Ж | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,3…3 | - | <5 | 1…4 | 0,3…3 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303І | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...2 | - | <5 | 2…6 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистора в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 71,80 ₴
