влевовправо
Силовий модуль тиристорно-тиристорний 130A / 1600V NTT122N160 (Naina Semiconductor Limited)
- Немає в наявності
- Код: NTT122N160
1 055,90 ₴
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
Силовий модуль тиристорно-тиристорний 130A / 1600V NTT122N160 (Naina Semiconductor Limited)Немає в наявності
1 055,90 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Модулі тиристорні містять два послідовно включених тиристора
| Позначення виробника: | NTT122N160 |
|
Модуль тиристорно-тиристорний. Виробник Naina Semiconductor Limited. Граничний середній прямий струм за TJ = 85 °C — IA (AV) = 120 А. Граничне значення прямого струму RMS — IT (RMS) = 204 А. Максимальний неповторний імпульсний струм ITSM=3600А. Граничне значення повторюваної зворотної напруги VRRM=1600 В. Граничне значення зворотної напруги VRSM = 1700 В. Діапазон робочих температур -40 to +125 °С. Тепловий опір Rth(JC)=0,21 °C/W. Вага 0,22 кг |
| Основні | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Спосіб монтажу | Різьбовий |
| Максимальний зворотний струм | 130 А |
| Матеріал корпусу | Метал |
| Охолодження | Природне |
| Країна виробник | Індія |
| Динамічний опір | 0.21 Ом |
| Мінімальна робоча температура | -40 град. |
| Максимальна робоча температура | 125 град. |
| Вага | 220 г |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виробник | Naina Semiconductor Limited |
| Тип тиристора | Силовий тиристорний модуль |
| Максимальна імпульсна напруга в закритому стані | 1600 |
| Технічна інформація: | завантажити PDF файл |
| VDRM repetitive peak off-state voltage: | 1600в |
| RMS on-current state | 130А |
| Напруга вмикання | 1700 |
- Ціна: 1 055,90 ₴
