влевовправо
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247
- В наявності
- Код: IRFP90N20D sokh
247 ₴
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247В наявності
247 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
IRFP90N20D транзистор MOSFET N-CH 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm; TO-247
Технічні даніTO247(N; 200V; 94A; 580W; 0.023 Ohm)
Product Category:MOSFET
RoHS: Details
Technology:Si
Mounting Style:Through Hole
Package/Case:TO-247-3
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Id - Continuous Drain Current:94 A
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:30 V
Qg - Gate Charge:180 nC
Minimum Operating Temperature:- 55 C
Maximum Operating Temperature:+ 175 C
Configuration:Single
Pd - Power Dissipation:580 W
Channel Mode:Enhancement
Packaging:Tube
Height:20.7 mm
Length:15.87 mm
Transistor Type:1 N-Channel
Width:5.31 mm
Forward Transconductance - Min:39 S
Fall Time:79 ns
Product Type:MOSFET
Rise Time:160 ns
Subcategory:MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Unit Weight:38 g
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 180 Вт |
| Канал транзистора | N-канал |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 200V 33A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Ціна: 247 ₴
