влевовправо
G50EF5 (G50N65) (FGA50T65) Infineon транзистор із ізольованим затвором (IGBT) 650V 80A 270W - 305W TO247В
- В наявності
- Код: G50EF5 sokh
231,40 ₴
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
G50EF5 (G50N65) (FGA50T65) Infineon транзистор із ізольованим затвором (IGBT) 650V 80A 270W - 305W TO247ВВ наявності
231,40 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
G50EF5 (G50N65) транзистор з ізольованим закривом (IGBT) 80A 650V
IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
| Категорія продукту: | Модулі біполярних транзисторів з ізольованим закривом (IGBT) | |
| Виробник: | Infineon | |
| Конфігурація: | Single | |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: | 650 V | |
| Безперервний колекторний струм за 25 °C: | 80 A | |
| Паковання/блок: | TO-247AC-3 | |
| Торгова марка: | Infineon | |
| Висота: | 20.7 mm (Max) | |
| Довжина:: | 15.87 mm (Max) | |
| Максимальна напруга затвор-емітер: | +/- 20 V | |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Ширина: | 5.31 mm (Max) |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Вставний |
| Максимальна потужність розсіювання | 305 Вт |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 231,40 ₴
