П307В транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
- Під замовлення
- Код: П307В Ni
Відправка з 18 грудня 202587,30 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
П307В транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
П307
Транзисторы П307 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводися на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ.
Технические характеристики транзисторов П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс | h21э | UКБ | IЭ | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| П307 | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16...50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307А | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 30...90 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Б | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 50…150 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307В | n-p-n | 30 | 120 | 60 | 60 | 3 | 250 | 50…150 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Г | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16…50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Біполярний |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна виробник | срср |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 87,30 ₴
