159НТ1Б (AU) (5-я приемка) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
- Немає в наявності
- Код: 159НТ1Б
207,30 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
159НТ1Б (AU) (5-я приемка)
матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.
159НТ1Б
Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1Б:
- Напряжение коллектор-база .......... 20 В
- Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
- Напряжение между транзисторами .......... 20 В
- Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Электрическая схема
1,8 ― свободные; 2 ― коллектор транзистора VT1;
3 ― база транзистора VT1;
4 ― эмиттер транзистора VT1;
5 ― эмиттер транзистора VT2;
6 ― база транзистора VT2;
7 ― коллектор транзистора VT2;
Электрические параметры
| 1 | Разность напряжений эмиттер-база транзисторов 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е |
не более 3 мВ не более 15 мВ |
| 2 | Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА | 0,55...0,75 В |
| 3 | Обратный ток коллектор-база | не более 200 нА |
| 4 | Обратный ток эмиттер-база | не более 500 нА |
| 5 | Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В | не более 20 нА |
| 6 | Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б,Д 159НТ1В,Е |
20...80 60...180 более 80 |
| 7 | Емкость эмиттера на частоте 10 мГц | не более 5 пФ |
| 8 | Емкость коллектора на частоте 10 мГц | не более 4 пФ |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение коллектор-база | 20 В |
| 2 | Напряжение эмиттер-база | 4 В |
| 3 | Напряжение между транзисторами | 20 В |
| 4 | Ток коллектора постоянный | 10 мА |
| 5 | Ток коллектора импульсный tи=30 мкс | 40 мА |
| 6 | Рассеиваемая мощность | 50 мВт |
Зарубежные аналоги
2N4042-2N4045
| Основні | |
|---|---|
| Тип мікросхеми | Операційний підсилювач |
| Тип операційного підсилювача | Диференціальний |
| Матеріал корпусу | Пластик |
- Ціна: 207,30 ₴
