Кошик
5038 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (17.03).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • ГТ806В (або 1Т806В) транзистор кремнієвий NPN (15А 120В) 30W, фото 2
вправо
ГТ806В (або 1Т806В) транзистор кремнієвий NPN (15А 120В) 30W, фото 1

ГТ806В (або 1Т806В) транзистор кремнієвий NPN (15А 120В) 30W

  • В наявності
  • Код: ГТ806В

81,10 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
ГТ806В (або 1Т806В) транзистор кремнієвий NPN (15А 120В) 30W
ГТ806В (або 1Т806В) транзистор кремнієвий NPN (15А 120В) 30WВ наявності
81,10 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

ГТ806В транзистор NPN (15 А 120 В) 30W

Найменування ГТ806В Транзистор
Функціональний тип біполярний
Структура n-p-n
Дата випуску  
Торгова марка ЗАО Група-Кремній, Брянцск
Країна походження СРСР
ТУ 3.365.021 ТУ
Тип приймання "1"
Матеріал корпусу метал зі скляними ізоляторами
Тип виведення жорсткий
Кліматичне виготовлення УХЛ2
Фактичне маркування ГТ806В
Тип паковання картонна коробка
Стан паковання заводська
Кратність відвантаження 1
Габаритні розміри L*W*H 29х29х25,6
Висота корпусу 12,2 mm
Довжина виводів 13,4 mm
Маса виробу, г. 22
Вміст золота в 1 шт., gr 0,0001168
Вміст срібла в 1 шт., gr 0,090055
Англійська транскрипція GT806V
Макс. допустима напруга колектор-база 120 V
Макс. допустимий постійний струм колектора 15 A
Максимальна потужність розсіювання 30 W
Максимальний зворотний струм, Iобр 8 µA
Статичний коефіцієнт передавання струму 10-100

Технічні характеристики транзисторів ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д:

Тип
транзизора
Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ max UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭ   f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
ГТ806А p-n-p 15 - 75 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55
ГТ806Б p-n-p 15 - 100 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55
ГТ806В p-n-p 15 - 120 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55
ГТ806Г p-n-p 15 - 50 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55
ГТ806Д p-n-p 15 - 140 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. 
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
 
Транзистор ГТ806В біполярний, германієвий дифузійно-сплавної структури p-n-p перемикачний. Призначений для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах і стабілізаторах струму та напруги.
Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Матеріал корпусуМеталокераміка
Максимально допустима напруга колектор-емітер140 В
Максимально допустимий струм колектора15 А
Максимальна потужність розсіювання30 Вт
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
NPNPOWER TRANSISTOR
Країна походженняСРСР
  • Ціна: 81,10 ₴