КТ826Б транзистор кремниевый NPN (1А 700В) (h21э 5-300)15W
- В наявності
- Код: КТ826Б
43,60 ₴
КТ826А транзистор NPN (1А 700В) 15W
КТ826Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Транзисторы КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.301 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ826Б :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ826А |
n-p-n |
700 | 700 | 1000 (1000) | (15) | 10-120 |  2000 |
 6 |
<2.5 |
| КТ826Б | 700 | 700 | 1000 (1000) | (15) | 5-300 |  2000 |
 6 |
<2.5 | |
| КТ826В | 700 | 700 | 1000 (1000) | (15) | 5-120 |  2000 |
 6 |
<2.5 |
Корпус:
| Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | - Обратный ток коллектора |
| fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | - напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
Структура условного обозначения
КТ8ХА(1):
КТ ― транзистор кремниевый биполярный;
8 ― обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х ― порядковый номер разработки (34; 48; 90);
А ― классификационная группа по параметрам;
1 ― конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).
Условия эксплуатации
Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А ― аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 ― АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94
Корпус ТО-3
Производитель Россия
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-база | 700 В |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 700 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 1 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 15 Вт |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виробник | ЗАТ Кремній Маркетинг р. Брянськ |
| Виконання | Дискретне |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
- Ціна: 43,60 ₴
