ГТ703Г германієві сплавні структури p-n-p підсилювальні (3,5А 30В) (h21Е 50..100) 15W
- В наявності
- Код: ГТ703Г
64,30 ₴
Транзистори німецькі сплавні структури p-n-p підсилювальні.
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д призначені для застосування в підсилювачах потужності низької частоти.
Випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 15 г.
Технічні умови: ЮФ3.365.019 ТУ.
Технічні характеристики транзисторів ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д:
| Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | кГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ703А | p-n-p | 3,5 | - | 20 | - | - | 1,6 (15) | 30…70 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Б | p-n-p | 3,5 | - | 20 | - | - | 1,6 (15) | 50…100 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703В | p-n-p | 3,5 | - | 30 | - | - | 1,6 (15) | 30…70 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Г | p-n-p | 3,5 | - | 30 | - | - | 1,6 (15) | 50…100 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
| ГТ703Д | p-n-p | 3,5 | - | 40 | - | - | 1,6 (15) | 20...45 | <0,6 | <0,5 | <0,5 | - | >10 | - | - | 85 | -40…+55 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
|
|
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 55 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 12 А |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна походження | СРСР |
| Країна виробник | срср |
| Виконання | Дискретне |
- Ціна: 64,30 ₴
