Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 12 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Кошик
4277 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (11.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72), фото 3
  • КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72), фото 4
вправо
КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

  • Немає в наявності
  • Код: КП303Е-NI

23,30 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)
КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)Немає в наявності
23,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

  

 

КП303Е
Транзистори КП303Е кремнієві епітоксиально-планарні польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу. 
Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором. 
Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії. 
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. 
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Технічні умови: Ц20.336.601 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора КП303:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 30 В;
• Iс — Строк (постійний): 20 мА;
• Iс нач — Початковий струм стоку: 1,5...5 мА;
• S — Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В;
• С11і — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ;
• С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 пФ
 

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303І:

Тип
польового транзизора
Р МАКС МАКС Граничні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС IС МАКС UЗІ ВІДС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
мВт МГц В В В мА В мКСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5...3 - <1 1…4 0,5...2 <6 <2 - -40…+85
КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5...3 - <1 1…4 0,5...2 <6 <2 - -40…+85
КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85
КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85
КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85
КП303І 200 - 25 30 30 20 0,5...2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
Основні
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуМеталоскло
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимальна потужність розсіювання0.2 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
Країна походженняСРСР
  • Ціна: 23,30 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner