Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 12 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
3471 відгук
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей), фото 2
  • К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей), фото 3
вправо
К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

  • Немає в наявності
  • Код: К159НТ1А

80 

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)Немає в наявності
80 
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

К159НТ1А

матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).

Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

301.8-2 package view














Электрическая схема

Conditional graphic designation1,8 ― свободные; 
2 ― коллектор транзистора VT1;
3 ― база транзистора VT1;
4 ― эмиттер транзистора VT1; 
5 ― эмиттер транзистора VT2; 
6 ― база транзистора VT2; 
7 ― коллектор транзистора VT2; 





Электрические параметры
 
1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
    159НТ1А-В
    159НТ1Г-Е
  
не более 3 мВ
не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
    159НТ1А,Г
    159НТ1Б,Д
    159НТ1В,Е
  
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ


Предельно допустимые режимы эксплуатации
 
1 Напряжение коллектор-база 20 В
2 Напряжение эмиттер-база 4 В
3 Напряжение между транзисторами 20 В
4 Ток коллектора постоянный 10 мА
5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА
6 Рассеиваемая мощность 50 мВт


Зарубежные аналоги
 

2N4042-2N4045

 

Основні
Тип мікросхемиОпераційний підсилювач
Тип операційного підсилювачаДиференціальний
Тип корпусуDIP
Матеріал корпусуПластик
Користувальницькі характеристики
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 80 

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner