Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 16.04).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості), фото 2
  • 2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості), фото 3
вправо
2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості), фото 1

2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості)

  • Під замовлення
  • Код: 2Т316А
clockВідправка з 29 квітня 2026

68,80 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості)
2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості)Під замовлення
68,80 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

2Т316А транзистор NPN 600МГц (0,05А. 10В) (h21е: 20-60) Au (ТО18)

2Т316А
Транзистори кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні. 
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) і перемикальних пристроях (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В). 
Випускаються: 
   - у металосткленному корпусі з гнучкими виведеннями (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д); 
   — у формі кристалів із контактними майданчиками без кристалотримача й без виводів (2Т316А-5). 
Тип приладів 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д надається на корпусі, тип 2Т316А-5 вказується в етикетці. 
Маса транзизора 
   - не більш ніж 0,5 г у пластмасовому корпусі, 
   — не більш ніж 0,002 г у кристалі.
Тип корпусу: КТ-1-7.
Технічні умови: СБ0.336.019 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т316А:
• Структура транзизора: n-p-n
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 150 мВт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 600 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-емітер: 10 В (3 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мкА;
• h21Е — Статичний коефіцієнт передавання струму для схеми із загальним імітером у режимі великого сигналу: 20...60;
• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 3 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 40 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А5:

Тип
транзизора
Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів за Тп = 25 °C TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЕR max UКБ0 max UЕБ0 max РК max h21э UКЕ
нас.
IКБО f гp. КШ ЗК ЗЕ
мА мА В В В мВт   В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т316А n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...60 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60...+125
2Т316Б n-p-n 50 50 10 10 4 150 40…120 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60...+125
2Т316В n-p-n 50 50 10 10 4 150 40…120 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60...+125
2Т316Г n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...100 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60...+125
2Т316Д n-p-n 50 50 10 10 4 150 60...300 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60...+125
2Т316А5 n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...60 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60...+125

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером у разі заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. 
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• h21Е — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.
• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• ЗК - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
Основні
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Максимально допустима напруга колектор-емітер10 В
Максимально допустимий струм колектора0.05 А
Матеріал корпусуМеталоскло
Користувальницькі характеристики
Країна походженняСРСР
ВиконанняДискретне
  • Ціна: 68,80 ₴