влевовправо
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Au (ТО72)
- В наявності
- Код: КП303Ж au
74,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Au (ТО72)В наявності
74,20 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Au (ТО72)
КП303Ж
Транзистори КП303Ж кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором.
Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.
Випускаються в металосткеляному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Технічні умови: Ц20.336.601 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 0,3... 3 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 30 В;
• Iс — Строк (постійний): 20 мА;
• Iс нач — Початковий струм стоку: 0,3...3 мА;
• S — Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ;
• С12і - Ємність зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 пФ
Транзистори КП303Ж кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором.
Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.
Випускаються в металосткеляному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Технічні умови: Ц20.336.601 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 0,3... 3 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 30 В;
• Iс — Строк (постійний): 20 мА;
• Iс нач — Початковий струм стоку: 0,3...3 мА;
• S — Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ;
• С12і - Ємність зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 пФ
Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303І:
| Тип польового транзизора |
Р МАКС | f МАКС | Граничні значення параметрів за Т = 25 °C | Значення параметрів за Т = 25 °C | Т ОКР | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UСИ МАКС | UЗС МАКС | UЗІ МАКС | IС МАКС | UЗІ ВІДС | g22И | IЗ УТ | S | IС НАЧ | C11И | C12И | КШ | ||||
| мВт | МГц | В | В | В | мА | В | мКСм | нА | мА/В | мА | пФ | пФ | дБ | °С | |
| КП303А | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...3 | - | <1 | 1…4 | 0,5...2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Б | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...3 | - | <1 | 1…4 | 0,5...2 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303В | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 1…4 | - | <1 | 2…5 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Г | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <0,1 | 3…7 | 3…12 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303Д | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >2,6 | 3…9 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Е | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | <8 | - | <1 | >4 | 5…20 | <6 | <2 | <4 | -40…+85 |
| КП303Ж | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,3…3 | - | <5 | 1…4 | 0,3…3 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
| КП303І | 200 | - | 25 | 30 | 30 | 20 | 0,5...2 | - | <5 | 2…6 | 1,5…5 | <6 | <2 | - | -40…+85 |
Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистора в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі у разі короткого замикання змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 74,20 ₴
