2Т837А (5-те приемка) транзистор PNP (8А 70В) (h21Э =15…120) 30W (ТО-220)
- Під замовлення
- Код: 2Т837А
Відправка з 18 лютого 202529,80 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
2Т837А ( 5-я приемка) транзистор PNP (8А 70В) (h21Э =15…120) 30W (ТО-220)
2Т837А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т837А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 120;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т837А | p-n-p | 8 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 15…120 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
| 2Т837Б | p-n-p | 8 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 30…150 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
| 2Т837В | p-n-p | 8 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 40…180 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
| 2Т837Г | p-n-p | 8 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 15…120 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
| 2Т837Д | p-n-p | 8 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 30…150 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
| 2Т837Е | p-n-p | 8 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 40…180 | 0,9 | <0,15 | <0,3 | <5 | >3 | - | - | 125 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 80 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 7.5 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Виробник | ЗАТ Кремній Маркетинг м. Брянськ |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 29,80 ₴
- Спосіб упаковки: упаковка 50 шт
