IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 24 mOhm) 330W

103,60 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 24 mOhm) 330WВ наявності

103,60 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

Опис

Характеристики

Специфікація

Інформація для замовлення

IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 330W; 24 mOhm)

Зображення слугують лише для того, щоб ознаменувати
Див. специфікації продукту

Product Category:	MOSFET
Manufacturer:	Infineon
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id - Continuous Drain Current:	65 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	30 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Infineon / IR
Configuration:	Single
Fall Time:	31 ns
Height:	15.65 mm
Length:	10 mm
Pd - Power Dissipation:	330 W
Rise Time:	20 ns
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	33 ns
Width:	4.4 mm
Unit Weight:	6 g

Основні
Виробник	STMicroelectronics
Країна виробник	Китай
Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Пластик
Максимальна потужність розсіювання	312 Вт
Тип монтажу	Ручний монтаж
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH	100V 80A
Корпус транзистора:	ТО220