IRF 630N транзистор MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
| N-CHANNEL 9А, 200 В, 0,35 Ом, N-канал, Power MOSFET |
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
| Виробник: |
STMicroelectronics |
|
|
| Категорія продукту: |
МОП-транзистор |
|
|
| RoHS: |
 Деталі |
|
|
| Торгова марка: |
STMicroelectronics |
|
|
| Полярність транзизора: |
N-Channel |
|
|
| Vds — напруга пробою стік-висток: |
200 V |
|
|
| Vds — напруга пробою затвор-висток: |
20 V |
|
|
| Id — безперервний струм витоку: |
9 A |
|
|
| Rds Вмик — опір стік-висток: |
400 mOhms |
|
|
|
|
| Максимальна робоча температура: |
+ 150 C |
|
|
| Pd — розсіювання потужності: |
75 W |
|
|
| Вид монтажа: |
Through Hole |
|
|
|
|
|
|
| Канальний режим: |
Enhancement |
|
|
| Крутість характеристики прямого передавання — Мін.: |
4 S |
|
|
| Мінімальна робоча температура: |
- 65 C |
|
|
|
|
|
|
| Розмір фабричного паковання: |
50 |
|
