Кошик
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • IRFB3206pbf  транзистор  MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W, фото 2
  • IRFB3206pbf  транзистор  MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W, фото 3
  • IRFB3206pbf  транзистор  MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W, фото 4
вправо
IRFB3206pbf  транзистор  MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W, фото 1

IRFB3206pbf транзистор MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W

  • В наявності
  • Код: IRFB3206 kh orig

136,10 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFB3206pbf  транзистор  MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300W
IRFB3206pbf транзистор MOSFET N-CH 60V 120А (пікова 210A) TO-220 300WВ наявності
136,10 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

IRFB3206  транзистор  MOSFET N-CH 60V 210A TO-220 300W​

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
 

Потужний польовий N-канальний транзистор IRFB3206PbF MOSFET (60V, 210A, 300W)

IRFB3206PbF — це високоефективний, надпотужний кремнієвий N-канальний MOSFET транзистор з ізольованим затвором сімейства HEXFET® Power MOSFET, розроблений компанією International Rectifier 

). Компонент виконаний у класичному силовому корпусі TO-220AB і призначений для наскрізного вивідного монтажу (THT) на плату. 

Головна перевага цієї моделі — екстремально низький опір переходу у відкритому стані (\(R_{DS(on)}\)), який становить всього 2.4–3 мОм. Це мінімізує теплові втрати на кристалі під час комутації колосальних струмів. Транзистор здатний витримувати постійний струм стоку до 210 А (технічний ліміт кремнієвого кристала) та розсіювати теплову потужність до 300 Вт за належного охолодження. Транзистор оптимізований для швидкісного сильного перемикання ланцюгів і має покращену стійкість до лавинного пробою (Avalanche Ruggedness). 


⚙️ Основні технічні характеристики

  • Виробник: Infineon Technologies (екс-IR)
  • Тип транзистора: MOSFET (МОП / МДН-транзистор)
  • Полярність каналу: N-Channel (N-канал)
  • Максимальна напруга стік-витік (\(V_{DSS}\)): 60 В
  • Максимальний струм стоку (\(I_{D}\)): 210 А (при температурі кристала \(T_C = 25^\circ\text{C}\))
  • Струм обмеження корпусу (Package Limited): 120 А
  • Опір у відкритому стані (\(R_{DS(on)}\)): 0.0024 – 0.003 Ом (типовий 2.4 мОм при \(V_{GS} = 10\text{ В}\))
  • Максимальна потужність розсіювання (\(P_{D}\)): 300 Вт
  • Гранична напруга затвор-витік (\(V_{GS(th)}\)): від 2 до 4 В
  • Повний заряд затвора (\(Q_{g}\)): 120 нКл (типовий)
  • Тип корпусу: TO-220AB (THT вивідний)
  • Особливості: Безсвинцевий (Pb-Free), відповідає стандарту RoHS. 


🚀 Галузі застосування

Завдяки своїм унікальним частотним та струмовим характеристикам, IRFB3206PBF масово використовується у високоінтенсивних та низьковольтних схемах живлення: 

  1. Високопотужні інвертори напруги (перетворювачі 12V / 24V в 220V), включаючи автомобільні та побутові системи безперебійного живлення (UPS).
  2. Контролери двигунів постійного струму та блоки керування електротраспортом (електросамокати, квадрокоптери, контролери для реверсивних двигунів).
  3. Синхронне випрямлення у потужних імпульсних блоках живлення (SMPS) з високим ККД.
  4. DC-DC перетворювачі великої потужності.
  5. Автомобільна електроніка та інтелектуальні ключі силового комутування бортової мережі

 

Основні
Тип монтажуРучний монтаж
Максимально допустимий струм стоку110 А
ВиробникInternational Rectifier
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Країна виробникКитай
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуПластик
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH55V 110A
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 136,10 ₴