Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4803 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5), фото 2
  • КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5), фото 3
  • КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5), фото 4
вправо
КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5), фото 1

КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5)

  • Під замовлення
  • Код: КТ506Б
clockВідправка з 27 грудня 2025

74,20 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5)
КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5)Під замовлення
74,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

КТ506Б транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5)

  

 

ранзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. 
Транзисторы КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39).
Технические условия: аА0.336.653 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ506Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 600 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

 
 

no image

 

Технические характеристики транзисторов КТ506А, КТ506Б:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ506А n-p-n 2 5 800 800 5 0,8 (10) >30 0,6 1 1 10 - 40 1100 150 -45…+100
КТ506Б n-p-n 2 5 600 600 5 0,8 (10) >30 0,6 0,2 1 10 - 40 1100 150 -45…+100


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основні
Тип монтажуРучний монтаж
Тип біполярного транзистораP-N-P
Максимально допустима напруга колектор-емітер75 В
Максимально допустимий струм колектора0.6 А
Країна виробникЧехія
Тип транзистораБіполярний
Матеріал корпусуМеталоскло
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
  • Ціна: 74,20 ₴