Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
|
|
| Категорія продукту: |
Стабілізрони |
|
|
| RoHS: |
 Деталі |
|
|
| Торгова марка: |
NXP Semiconductors |
|
|
| Напруга пробою p-n переходу: |
39 V |
|
|
| Допустиме відхилення напруги: |
5 % |
|
|
| Температурний коефіцієнт напруги: |
36.3 mV/K |
|
|
|
|
| Максимальний зворотний струм витоку: |
50 nA |
|
|
| Максимальнийзенерський імпеданс: |
60 Ohms |
|
|
| Максимальна робоча температура: |
+ 200 C |
|
|
|
|
| Вид монтажа: |
Through Hole |
|
|
|
|
|
|
| Мінімальна робоча температура: |
- 65 C |
|
|
| Розмір фабричного паковання: |
5000 |
|
|
| Інші назви товару No: |
BZV85-C39 T/R |
|
|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Країна виробник | Китай |
| Тип діода | Стабілітрон |
| Матеріал виготовлення | Кремній |
| Призначення діода | Обмежувальний |
