КТ896А (аналог КТ825Г) транзистор PNP (20А 100В) 125 W корпус КТ-43-1 (ТО-218)

КТ896А транзистор PNP (20А 100В) 125W

КТ896А
Транзистори КТ896А кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p складані посилені.
Призначені для застосування в підсилювачах потужності.
Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими виведеннями.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 10 г.
Тип корпусу: КТ-43-1 (ТО-218).
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  - приемка «1» - АДБК.432148.038ТУ.
Імпортний аналог: BDV64B, TIP146, SGSD200.

Основні технічні характеристики транзизора КТ896А:
• Структура транзизора: p-n-p;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: понад 4 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 90 В (1 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 30 А;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 750... 18000;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 700 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,4 Ом;
• tвимк — Час вимкнення:: не більш ніж 450 нс

Технічні характеристики транзисторів КТ896А, КТ896Б:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.