Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 12 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Кошик
4277 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (11.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5), фото 3
  • КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5), фото 4
  • КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5), фото 5
  • КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5), фото 6
вправо
КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)

  • Під замовлення
  • Код: КТ632Б
clockВідправка з 23 лютого 2025

76,10 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)
КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)Під замовлення
76,10 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5)

  

 

КТ632Б
Транзисторы КТ632Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. 
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях. 
Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора  не более 1,5 г,
Тип корпуса: KT-2.
Технические условия: аА0.336.432 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ632Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

 
 

no image

Технические характеристики транзисторов 2Т632А, КТ632Б:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
2Т632А p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50…450 <0,5 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -60…+125
КТ632Б p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50…450 <0,8 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

 

 

 

 

 

Основні
Тип монтажуРучний монтаж
Тип біполярного транзистораP-N-P
Максимально допустима напруга колектор-емітер75 В
Максимально допустимий струм колектора0.6 А
Країна виробникЧехія
Тип транзистораБіполярний
Матеріал корпусуМеталоскло
Користувацькі характеристики
ВиконанняДискретне
  • Ціна: 76,10 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner