Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • 2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 2
  • 2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 3
вправо
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості), фото 1

2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)

  • Готово до відправки
  • Код: 2Т812Б

124 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)
2Т812Б транзистор кремнієвий NPN (10А 300В) 50W (військове приймання по якості)Готово до відправки
124 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

 

2Т812Б транзистор NPN (10А 300В) 50W

Найменування

  КТ812Б ТО-3 Транзистор
Функціональний тип біполярний
Типорозмір корпусу вітчизняний КТ-9
Структура n-p-n
Дата випуску  
Торгова марка АО ЕЛЕКТРОНПРИБОР, Фрязино
Країна походження  СРСР
ТУ аАО.336.052 ТУ
ГОСТ 11630-70
Тип приймання "1"
Матеріал корпусу метал зі скляними ізоляторами
Тип виведення жорсткий
Робоче положення будь-яка
Фактичне маркування 2Т812Б
Стан паковання самопаковання
Кратність відвантаження 1
Габаритні розміри L*W*H 39х26х23
Висота корпусу 10 mm
Довжина виводів 13 mm
Маса виробу, г. 13,5
Вміст золота в 1 шт., gr 0,02430
Транслітерація 2T812B
Інтервал робочих температур от -45 до +85°C
Макс. допустима напруга колектор-емітер 500 V
Макс. допустима напруга еммітер-база 6 V
Макс. допустимий постійний струм колектора 8 A
Максимальна потужність розсіювання 50 W
Максимальний зворотний струм, Iобр 10 mA
Транзистор КТ812Б біполярний, кремнієвий, мезапланарний, структури n-p-n імпульсний. Призначений для застосування в перемикальних і імпульсних пристроях.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкео(і), В Iдоmax(и), мА Pдоmax(т), Вт h21е Iкбо, мкА fгр., МГц UкЕН, В
КТ812Б n-p-n 500 500 8000 (12000) (50) =>4 <=5000 =>3 <2.5
КТ812В 300 300 8000 (12000) (50) =>10 <=5000 =>3 <2.5
2Т812А 700 700 10000 (17000) (50) =>5 <=5000 =>3 <2.5
2Т812Б 500 500 10000 (17000) (50) =>5 <=5000 =>3 <2.5

 

Корпус:
КТ812A package view

 

Uкбо - Максимально допустима напруга колектор-база
Uкбои - Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база
Uкео - Максимально допустима напруга колектор-емітер
Uкеои - Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер
Iдоmax - Максимально допустимий постійний струм колектора
Iдоmax и - Максимально допустимий імпульсний струм колектора
Pдоmax - Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення
Pдоmax т - Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням
h21е - Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в схемі із загальним імітером
Iкбо - Зворотний струм колектора
fгр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним емітером
UкЕН - напруга насичення колектор-емітер
Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Матеріал корпусуМеталокераміка
Максимально допустима напруга колектор-база400 В
Максимально допустима напруга колектор-емітер200 В
Максимально допустимий струм колектора12 А
Максимальна потужність розсіювання50 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
Користувальницькі характеристики
ВиробникЗАТ Кремній Маркетинг р. Брянськ
ВиконанняДискретне
NPNPOWER TRANSISTOR
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 124 ₴