IRFP4668PBF транзистор MOSFET (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247 Infineon
- Готово до відправки
- Код: IRFP4668PBF kh or
169 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
IRFP4668PBF транзистор MOSFET (N-Channel) 200V; 130A; 520W; 0.8 Ohm) TO247 Infineon
Потужний N-канальний MOSFET транзистор IRFP4668PBF Infineon (200V, 130A, 520W, TO-247AC)
IRFP4668PBF — це один із найпотужніших силових N-канальних польових транзисторів (MOSFET) від світового лідера Infineon Technologies (раніше International Rectifier). Він розроблений спеціально для високонавантажених промислових застосувань, де потрібна комутація надвисоких струмів при напрузі до 200 В.
Транзистор виготовлений за передовою технологією HEXFET Power MOSFET, що дозволило досягти наднизького опору у відкритому стані (RDS(on) — всього 8.0 мОм). Це мінімізує статичні втрати та значно знижує виділення тепла. Надійний силовий корпус TO-247AC забезпечує відмінне тепловідведення, дозволяючи транзистору розсіювати колосальну потужність до 520 Вт.
Основні технічні характеристики:
-
Виробник: Infineon Technologies (International Rectifier)
-
Тип транзистора: N-канал (N-Channel)
-
Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 200 В
-
Максимальний струм стоку (ID): 130 А (при температурі корпусу TC=25∘C); лімітований пакетом виводів до 195 А для кристалу.
-
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 520 Вт (вимагає обов'язкового встановлення на якісний радіатор).
-
Низький опір відкритого каналу (RDS(on)): макс. 9.7 мОм (типове 8.0 мОм при 78А)
-
Заряд затвора (Qg): 161 нК (типовий)
-
Тип корпусу: TO-247AC (вивідний монтаж, THT)
-
Діапазон робочих температур: від −55∘C до +175∘C
Сфера застосування: Завдяки екстремальній надійності, низькому опору та високій потужності, IRFP4668PBF масово застосовується у таких сферах:
-
Силова частина автомобільних та промислових інверторів (перетворювачів напруги 12/24/48V в 220V).
-
Джерела безперебійного живлення (UPS) високої потужності.
-
Контролери електротранспорту (електровелосипеди, навантажувачі, човнові мотори).
-
Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS) та зварювальні інвертори.
-
Системні плати захисту та комутації акумуляторів (BMS).
-
Синхронні випрямлячі у важкому промисловому обладнанні.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Канал транзистора | N-канал |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 500V 17A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Ціна: 169 ₴
