FQP19N20C 200V N-Channel Advance Q-FET C-Series
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Производитель : |
Fairchild Semiconductor |
|
|
| Категория продукта : |
МОП-транзистор |
|
|
| Соответствует : |
 Детали |
|
|
| Полярность транзистора : |
N-канал |
|
|
| Сток-исток Напряжение пробоя : |
200 В |
|
|
| Затвор-исток Напряжение пробоя : |
+ / ― 30 В |
|
|
| Непрерывный ток стока : |
19 |
|
|
| Сток-исток Сопротивление : |
170 мОм |
|
|
|
|
| Максимальная рабочая температура : |
+ 150 C |
|
|
| Монтажа : |
Сквозное отверстие |
|
|
| Упаковка / блок : |
К-220AB |
|
|
|
|
|
|
| Крутизна в прямом направлении ― Мин : |
10.8 S |
|
|
| Минимальная рабочая температура : |
- 55 C |
|
|
| Рассеиваемая мощность : |
139 Вт |
|
|
| Время нарастания : |
150 нс |
|
|
|
|
|
|
| Типичный задержки выключения Время : |
135 нс |
|
|
| Другие названия товара № : |
FQP19N20C_NL |
|
|
|
|
Features
• 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 40.5 nC)
• Low Crss ( typical 85 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
