КТ635Б Транзистори КТ635Б кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n перемикальні.
Призначені для застосування в імпульсних та високочастотних пристроях.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 3,0 р.
Тип корпусу КТ-2-7 (TO-39).
Кліматичне виконання: "УХЛ", категорія розміщення "2.1". Категорія якості: ВТК.
Технічні умови: - приймання «1» - АА0.336.250ТУ. Гарантійний термін зберігання – не менше 12 років з моменту виготовлення.
Імпортний аналог: 2N2725.
Основні технічні характеристики транзистора КТ635Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм Джерело: https://eandc.ru/catalog/kt635b/ колектора: 1,2 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 30 мкА (60В);
• h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...150;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 10 пФ; • Rке Джерело: https://eandc.ru/catalog/kt635b/ нас - Опір насичення між колектором і емітером: не більше 1 Ом;
• tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 58 пс.

Розшифровка маркування біполярного транзистора: КТ635Б К - буква, що позначає вихідний матеріал, з якого виготовлений транзистор та його категорію якості, де
К – кремнієвий транзистор категорії якості «ОТК»;
Т - літера, що визначає клас чи підгрупу напівпровідникових приладів, де Т – біполярний транзистор;
6 - буква, що позначає функціональне призначення, де 6 - транзистор середньої потужності - з максимальною потужністю, що розсіюється, від 0,3 до 1,5 Вт і граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною робочою частотою більше 300 МГц;
35 - число, що вказує на порядковий номер транзистора розробки;
Б - літера, що визначає класифікацію транзисторів за параметрами, виготовленими за єдиним технологічним процесом.