КП307А транзистор кремнієвий епітаксійних-планарний польовий з затвором на осн. p-n переходу і каналом n-типу

Транзистори КП307А кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.

КП307А
Транзистори КП307А кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. 
Призначені для застосування у вхідних і вихідних каскадах підсилювачів високої та низької частот із високим вхідним опором.
Транзистори КП307А загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.
Випускаються в металосткеляному корпусі з гнучкими виведеннями. 
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Технічні умови: АА0.336.046 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора КП307А:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 250 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзистори — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 2,5 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 27 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 27 В;
• Iс — Строка (постійний): 25 мА
• Iс нач — Початковий струм стоку: не більш ніж 5 мА;
• S — Крутизна характеристики: 3... 8 мА/В (10В);
• С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 5 ПФ;
• С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 1,5 ПФ

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом n-типу
КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж:

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистора в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.