Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4948 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 08.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72), фото 2
  • КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72), фото 3
вправо
КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72), фото 1

КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72)

  • В наявності
  • Код: КП303В au

71,60 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72)
КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) (IС ПОЧ 1,5…5) Au (ТО72)В наявності
71,60 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

КП303В транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

  

Найменування

  КП303Д Транзистор
Функціональний тип польовий
Типорозмір корпусу КТ-1-12
Структура p-n-перехід і n-канал
Торгова марка No trademark
ТУ Ц20.336.601 ТУ
Тип приймання "1"
Матеріал корпусу металостекскований
Тип виведення гнучкий
Покриття виводів або контактів Au
Робоче положення будь-яка
Фактичне маркування 3ВВ2
Стан паковання самопаковання
Кратність відвантаження 1
Цвет изделия чорний
Габаритні розміри L*W*H 6х18
Висота корпусу 5 mm
Маса виробу, г. 0,34
Транслітерація Transistor KP303D
Напруга стік-висток 25 V
Напруга затвора 30 V
Ток стока не більш ніж 9 mA
Максимальна потужність розсіювання 200 mW
Примітка Дата випуску не вказана
Танзистор КП303В кремнієвий епітаксиально-планарний польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Застосовуйтеся у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти.
 

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303І:

Тип
польового транзизора
Р МАКС МАКС Граничні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС IС МАКС UЗІ ВІДС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ
мВт МГц В В В мА В мКСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С
КП303А 200 - 25 30 30 20 0,5...3 - <1 1…4 0,5...2 <6 <2 - -40…+85
КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5...3 - <1 1…4 0,5...2 <6 <2 - -40…+85
КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85
КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85
КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85
КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1…4 0,3…3 <6 <2 - -40…+85
КП303І 200 - 25 30 30 20 0,5...2 - <5 2…6 1,5…5 <6 <2 - -40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.
• МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистора в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.
Основні
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуМеталоскло
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимальна потужність розсіювання0.2 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
Країна походженняСРСР
  • Ціна: 71,60 ₴