влевовправо
КР159НТ1Б DIP8 матриця із двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: КР159НТ1Б DIP8
16,10 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КР159НТ1Б DIP8 матриця із двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)В наявності
16,10 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
КР159НТ1Б DIP8 матриця з двох n-p-n транзисторів
(для побудови диференціальних підсилювачів)
Мікросхеми являють собою матрицю з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів).
Корпус типу 301.8-2, маса не більш ніж 1,3 г і типу 201.14-1, маса не більш ніж 1,0 гр.
Мікросхема КР159НТ1Б — являє собою складку з двох біполярних п-р-п транзисторів, виготовлена за планарною технологією із ізоляцією елементів діелектриком. Призначена для використання як базова схема диференціального підсилювача та інших балансних схем у різних пристроях радіоелектроночної апаратури.
Корпус типу 2101.8-1
|
| Основні | |
|---|---|
| Тип мікросхеми | Операційний підсилювач |
| Тип корпусу | DIP |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип операційного підсилювача | Диференціальний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 16,10 ₴
