2Т117Г транзистор N-база (h21э:0.65-0.8) 30В Au (ТО18) (військове приймання по якості)

2Т117Г транзистор N-база (h21е:0.65-0.8) 30 В Au (ТО18)

2Т117Г
Транзистори 2Т117Г кремнієві епітаксиально-планарні одноперехідні з базою n-типу.
Призначені для застосування в малопотужних генераторах електронної апаратури спеціального призначення.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркування нанесене цифро-букваним кодом на корпусі транзизора.
Маса транзизора не більш ніж 0,6 г.
Тип корпусу: КТ-1-7 (TO-18).
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Категорія якості: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технічні умови:
  - приймання «ВП» ТТ3.365.000ТУ;
  - приймання «ОСМ» ТТ3.365.000ТУ, П0.070.052,
  — приймання «ОС» ТТ3.365.000ТУ, аА0.339.190ТУ.

Гарантійний термін зберігання транзисторів — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.
Гарантійне напрацювання:
  - 80 000 годин — у всіх режимах, що допускаються ТУ;
  - 100 000 годин — у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т117Г:
• Структура транзизора: n-база
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 300 мВт;
• fmax — Максимальна частота генерації: 0,2 МГц;
• Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 30 В;
• Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 30 В;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером: 0,5... 0,7

Технічні характеристики транзисторів 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max — максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.