влевовправо
SKD502T транзистор MOSFET N-CH 85V, 120A, (5,5mΩ при Vgs =10V) 174W
- Готово до відправки
- Код: SKD502T kh or
50,80 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
SKD502T транзистор MOSFET N-CH 85V, 120A, (5,5mΩ при Vgs =10V) 174WГотово до відправки
50,80 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
SKD502T транзистор MOSFET N-CH 85V, 120A, (5,5mΩ при Vgs =10V) 174W
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
Найменування приладу: SKD502T
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 174 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 85 V
|Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 120 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 55 nC
trⓘ - Час зростання: 38.9 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1057 pf
Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпусу: TO220
|
|
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 345 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 50,80 ₴
