влевовправо
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
- Під замовлення
- Код: HY3210P
Відправка з 28 лютого 202676,10 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 грн
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237WПід замовлення
76,10 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch.
Технічні характеристики
Найменування приладу: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 100 V
Гранично допустиме напруження затвор-витік | Ugs |: 25 V
|порогове напруження включення | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id |: 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час зростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпусу: TO220FB
|
|
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 237 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Виробник | PD |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 76,10 ₴
