Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4287 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 12.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • HY3210P  транзистор  MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W, фото 3
вправо
HY3210P  транзистор  MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W

HY3210P  транзистор  MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W

  • Під замовлення
  • Код: HY3210P
clockВідправка з 03 березня 2025

72,10 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3210P  транзистор  MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
HY3210P  транзистор  MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237WПід замовлення
72,10 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch.
Технічні характеристики
Найменування приладу: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 100 V
Гранично допустиме напруження затвор-витік | Ugs |: 25 V
|порогове напруження включення | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id |: 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час зростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпусу: TO220FB

 

Основні
Країна виробникКитай
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуПластик
Максимально допустимий струм стоку120 А
Максимальна потужність розсіювання237 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
ВиробникPD
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 72,10 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner