
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
- Під замовлення
- Код: HY3208P

64 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, 8,5mΩ (Vgs=2-4V) 226W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Наименование прибора: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
|
Основні | |
---|---|
Країна виробник | Китай |
Тип транзистора | Польовий |
Матеріал корпусу | Пластик |
Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
Максимальна потужність розсіювання | 226 Вт |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Виробник | PD |
Користувальницькі характеристики | |
Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
MOSFET N-CH | 100V 80A |
Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 64 ₴