Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4290 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 15.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W, фото 3
  • HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W, фото 4
вправо
HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W

HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W

  • Під замовлення
  • Код: HY3208P
clockВідправка з 06 березня 2025

64 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226WПід замовлення
64 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

HY3208P  транзистор  MOSFET N-CH 80V, 120A, 8,5mΩ (Vgs=2-4V) 226W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Наименование прибора: HY3208P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220FB

 

Основні
Країна виробникКитай
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуПластик
Максимально допустима напруга стік-витік80 В
Максимально допустимий струм стоку120 А
Максимальна потужність розсіювання226 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
ВиробникPD
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 64 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner