Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4804 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 14.12).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • HY3506  транзистор  MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W, фото 2
  • HY3506  транзистор  MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W, фото 3
вправо
HY3506  транзистор  MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W, фото 1

HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W

  • Готово до відправки
  • Код: HY3506 kh orig

65,50 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY3506  транзистор  MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W
HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150WГотово до відправки
65,50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

HY3506  транзистор  MOSFET N-CH 60V, 110A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

 

Польовий транзистор

КаналN

Корпус TO-220

Макс. напруга drain-source (Uds), 60v

Макс. напруга gate-source (Ugs), 25v

Макс. імпульсний струм drain (Id), 750 A

Макс. потужність, що розсіюється (Pd), 153W

Макс. температура каналу (Tj), 175 °C

Опір drain-source відкритого транзистора (Rds), 0.035Ом

Вихідна ємність (Cd), 1010pF

Час наростання типовий (tr), 12nS

Макс. постійний струм drain (Id), 190A

Основні
Країна виробникКитай
Тип транзистораПольовий
Матеріал корпусуПластик
Максимально допустимий струм стоку190 А
Максимальна потужність розсіювання153 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
ВиробникPD
Користувальницькі характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 65,50 ₴