2Т825В транзистор PNP (30А 60В) 165W (ТО-3) (військове приймання по якості)

2Т825В транзистор PNP (30 А 60 В) 125 W (ТО-3)

2Т825В
Транзистори 2Т825В кремнієві мезапланарні структури p-n-p складані, перемикачні.
Призначені для застосування в підсилювачах і перемикальних пристроях електронної апаратури спеціального призначення.
Транзистори 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип корпусу: КТ-9 (TO-3).
Транзистор 2Т825А-5 випускається як кристали нерозділених на пластині з контактними майданчиками для гібридних інтегральних мікросхем.
Тип приладу вказується в етикетці.
Маса транзизора:
   - у металевому корпусі не більш ніж 20,0 г,
   - кристала не більш ніж 0,025 г.
Тип кліматичного виконання: «УХЛ».
Категорія якості: "ВП", "ОСМ".
Технічні умови:
  - приймання «ВП» АА0.339.054ТУ;
  — приймання «ОСМ» АА0.339.054ТУ, П0.070.052.
Завубільний аналог: 2N6285.

Гарантійний термін зберігання транзисторів — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.
Гарантійне напрацювання:
  - 25 000 годин — у всіх режимах, що допускаються ТУ;
  — 40000 годин — у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т825В:
• Структура транзизора: p-n-p;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 4 МГц;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 40 А;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 750...18000;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 600 ПФ;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 0,4 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А-5:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер у разі заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.