Кошик
5029 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 12.03).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK, фото 2
вправо
IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK, фото 1

IRFR4620PBF транзистор MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK

  • В наявності
  • Код: IIRFR4620PBF kh rep

46,10 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK
IRFR4620PBF транзистор MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAKВ наявності
46,10 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

 

 

Технічний опис IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

 

 

IRFR4620PBF — це N-канальний польовий транзистор (MOSFET), який використовується в різних силових і високочастотних застосуваннях. Ось його основні параметри:

Основні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET

Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 100 В

Максимальний струм стоку (ID): 48 А (при температурі корпусу 25°C)

Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 8.3 мОм (при VGS = 10 В, ID = 30 А)

Максимальна потужність розсіювання (PD): 130 Вт (при температурі корпусу 25°C)

Напруга затвору (VGS): ±20 В


Електричні параметри:

Заряд затвора (QG): 63 нКл (при VGS = 10 В)

Порога напруга затвора (VGS(th)): 2-4 В

Максимальна температура переходу (TJ): -55°C до +175°C


Особливості:

Низький опір у відкритому стані (низькі втрати потужності).

Висока пропускна здатність струму.

Швидке перемикання.

Енергозберігаючий дизайн.


Корпус:

Тип корпусу: TO-252 (DPAK)

Конфігурація виводів: Стік, затвор, витік.


Цей транзистор широко використовується в джерелах живлення, системах управління двигунами, інверторах і інших високоефективних схемах.

 

Основні
ВиробникInfineon
Матеріал корпусуПластик
Країна виробникКитай
Тип монтажуРучний монтаж
Максимальна потужність розсіювання38 Вт
Тип транзистораПольовий
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку11 А
Користувацькi характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
MOSFET N-CH100V 14А
Корпус транзистора:ТО220
  • Ціна: 46,10 ₴