влевовправо
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
- Готово до відправки
- Код: STGW40V60DF kh rep
168,40 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTГотово до відправки
168,40 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Характеристики:
|
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 283 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 500V 20A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Ціна: 168,40 ₴
