IRF2805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330W

154,70 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRF2805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 175A 4.7mOhm 150nC, TO-220 330WГотово до відправки

154,70 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

Опис

Характеристики

Специфікація

Інформація для замовлення

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Manufacturer:	Infineon
Product Category:	MOSFETs
RoHS:
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	55 V
Id - Continuous Drain Current:	175 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	4.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	150 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	330 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Fall Time:	110 ns
Forward Transconductance - Min:	91 S
Height:	15.65 mm
Length:	10 mm
Product Type:	MOSFETs
Rise Time:	120 ns
	1000
Subcategory:	Transistors
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	68 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns
Width:	4.4 mm
Unit Weight:	2 g

Основні
Виробник	Infineon
Країна виробник	Китай
Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Пластик
Максимально допустима напруга стік-витік	55 В
Максимально допустимий струм стоку	175 А
Максимальна потужність розсіювання	330 Вт
Тип монтажу	Ручний монтаж
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:	ТО220