влевовправо
DH150N10 транзистор MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
- Готово до відправки
- Код: DH150N10
63,10 ₴
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
DH150N10 транзистор MOSFET N-CH 100V 150A TO-220Готово до відправки
63,10 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
DH150N10 транзистор MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
| Product Category: | MOSFET | |
| Manufacturer: | China | |
| RoHS: |  Details |
|
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Packaging: | Tube | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 68 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S | |
| Height: | 9.15 mm | |
| Length: | 10.4 mm | |
| Pd - Power Dissipation: | 312 W | |
| Rise Time: | 90 ns | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 132 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | |
| Width: | 4.6 mm | |
| Unit Weight: | 1,438 g |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 63,10 ₴
