влевовправо
IRFS4127 транзистор MOSFET N-CH D2PAK-3 (TO-263-3) (200V; 72A; 22 mOhms) 375 W
- В наявності
- Код: IRFS4127
64 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFS4127 транзистор MOSFET N-CH D2PAK-3 (TO-263-3) (200V; 72A; 22 mOhms) 375 WВ наявності
64 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRFS4127 транзистор MOSFET N-CH D2PAK-3 (TO-263-3) (200V; 72A; 22 mOhms) 375 W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Product Attribute | Attribute Value | Select Attribute |
|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | |
| Product Category: | MOSFETs | |
| RoHS: | ||
| REACH - SVHC: | ||
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | D2PAK-3 (TO-263-3) | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Packaging: | Reel | |
| Packaging: | Cut Tape | |
| Packaging: | MouseReel | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 22 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 79 S | |
| Height: | 2.3 mm | |
| Length: | 6.5 mm | |
| Product Type: | MOSFETs | |
| Rise Time: | 18 ns | |
| 800 | ||
| Subcategory: | Transistors | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns | |
| Width: | 6.22 mm | |
| Unit Weight: | 0.139332 oz |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 200V 72A |
| Корпус транзистора: | D2PAK-3 |
- Ціна: 64 ₴
