
ГТ403В транзистор германієвий PNP (1.25А 60В) (h21Э 20...60) 4W
- В наявності
- Код: ГТ403В
32 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
ГТ403В
Транзисторы ГТ403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - СИ3.365.036ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 5NU72.
Основные технические характеристики транзистора ГТ403Ж:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 80 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
Характеристики транзисторов ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И:
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | кГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
ГТ403А | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Б | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403В | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Г | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Д | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 30 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Е | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | >30 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403Ж | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
ГТ403И | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | >30 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Основні | |
---|---|
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | P-N-P |
Користувальницькі характеристики | |
Виконання | Дискретне |
Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 32 ₴