Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4289 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 14.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
ГТ403В транзистор германієвий  PNP (1.25А 60В)  (h21Э 20...60) 4W

ГТ403В транзистор германієвий PNP (1.25А 60В) (h21Э 20...60) 4W

  • В наявності
  • Код: ГТ403В

32 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
ГТ403В транзистор германієвий  PNP (1.25А 60В)  (h21Э 20...60) 4W
ГТ403В транзистор германієвий PNP (1.25А 60В) (h21Э 20...60) 4WВ наявності
32 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

ГТ403В
Транзисторы ГТ403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СИ3.365.036ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 5NU72.

Основные технические характеристики транзистора ГТ403Ж:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 80 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Характеристики транзисторов ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА кГц дБ пФ пФ °С °С
ГТ403А p-n-p 1,25 - 30 45 20 4 20...60 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403Б p-n-p 1,25 - 30 45 20 4 50...150 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403В p-n-p 1,25 - 45 60 20 5 20...60 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403Г p-n-p 1,25 - 45 60 20 4 50...150 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403Д p-n-p 1,25 - 45 60 30 4 50...150 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403Е p-n-p 1,25 - 45 60 20 5 >30 0,5 50 50 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403Ж p-n-p 1,25 - 60 80 20 4 20...60 0,5 70 70 8 - - - 85 -55…+70
ГТ403И p-n-p 1,25 - 60 80 20 4 >30 0,5 70 70 8 - - - 85 -55…+70


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основні
Матеріал корпусуМеталокераміка
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораP-N-P
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 32 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner