
2Т919Б Транзистори НВЧ кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n генераторні
- Готово до відправки
- Код: 2Т919Б
327,50 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
2Т919Б

Транзистори НВЧ 2Т919Б кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n генераторні.
Призначені для застосування в підсилювачах потужності, помножувачах частоти та автогенераторах у НВЧ діапазоні 0,7...2,4 ГГц у схемі із загальною базою.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.
Випускаються в металокерамічному корпусі зі смужковими висновками.
Маркуються цифро-літерним та колірним кодом на корпусі транзистора.
Умовне позначення транзисторів:
- 2Т919А - літера «А» та зелена точка,
- 2Т919Б - літера «Б» та чорна точка,
- 2Т919В - літера «В» та біла точка.
Маса транзистора трохи більше 2,0 р.
Тип корпусу КТ-20.
Вид кліматичного виконання: «УХЛ».
Категорія якості: "ВП", "ОС".
Технічні умови:
- приймання «ВП» ЖК3.365.249ТУ;
- Прийняття «ОС» ЖК3.365.249ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубіжний аналог: LKE21015T.
Гарантійний термін зберігання транзисторів - 25 років з дати приймання, а у разі повторної перевірки виробу - з дати повторної перевірки.
Гарантійне напрацювання:
- 25000 годин – у всіх режимах, що допускаються ТУ;
- 40000 годин – у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т919Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 5 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: більше 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3,5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 0,35 А;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 0,7 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мА (45В);
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6,5 пФ;
• Рвых – вихідна потужність транзистора: не менше 1,6 Вт на частоті 2 ГГц;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 2,2 пс
-
Технические характеристики транзисторов 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. СР. max h21Э UКЭ
нас.IКБО IЭБО f гp. PВЫХ КУР А А В В В В Вт В мА мА ГГц Вт дБ °С °С 2Т919А n-p-n 0,7 1,5 - 45 3,5 28 10 - - <10 <2 >1,35 >3,5 - 150 -60…+125 2Т919Б n-p-n 0,35 0,7 - 45 3,5 28 5 - - <5 <2 >1,35 >1,6 - 150 -60…+125 2Т919В n-p-n 0,2 0,4 - 45 3,5 28 3,25 - - <2 <1 >1,35 >0,8 - 150 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Біполярний |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна виробник | срср |
| Виконання | Дискретне |
| Країна походження | срср |
| NPN | кремнієві |
- Ціна: 327,50 ₴

