|
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - ЩБ3.365.049ТУ.
Импортный аналог: 2N5090, MRF515.
Основные технические характеристики транзистора КТ606А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
Технические характеристики транзисторов 2Т606А, КТ606А, КТ606Б:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
UПИТ max |
РК. СР. max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКЭR |
IЭБО |
f гp. |
PВЫХ |
КУР |
| А |
А |
В |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мА |
мА |
МГц |
Вт |
дБ |
°С |
°С |
| 2Т606А |
n-p-n |
0,4 |
0,8 |
65 |
- |
4 |
28 |
2,5 |
- |
<1 |
<1 |
<0,1 |
>350 |
0,8 |
>2,5 |
150 |
-60…+125 |
| КТ606А |
n-p-n |
0,4 |
0,8 |
65 |
- |
4 |
28 |
2,5 |
- |
<1 |
<1,5 |
<0,3 |
>350 |
0,8 |
>2,5 |
120 |
-40…+85 |
| КТ606Б |
n-p-n |
0,4 |
0,8 |
65 |
- |
4 |
28 |
2,5 |
- |
<1 |
<1,5 |
<0,3 |
>350 |
0,6 |
>2,5 |
120 |
-40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
|
