КТ313Б1 транзистор PNP (350мА 60В) (h21э: 80-300) 0,3W (ТО92)

КТ313Б1 транзистор PNP (350мА 60В) (h21э: 80-300) 0,3W (ТО92)

КТ313Б1

Транзисторы КТ313Б1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - оранжевой меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
   - КТ313А1 - тёмно-красной,
   - КТ313Б1 - жёлтой,
   - КТ313В1 - тёмно-зелёной,
   - КТ313Г1 - голубой.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.131ТУ.
Импортный аналог: 2SA720, 2SA731.

Основные технические характеристики транзистора КТ313Б-1:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ313А1, КТ313Б1, КТ313В1, КТ313Г1:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.