Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні., фото 2
  • КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні., фото 3
  • КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні., фото 4
  • КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні., фото 5
вправо
КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні., фото 1

КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні.

  • Готово до відправки
  • Код: КТ971А

1 101,80 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні.
КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні.Готово до відправки
1 101,80 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2)

Изображения служат только для ознакомления

КТ971А
Транзисторы КТ971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 9,0 г.
Тип корпуса: КТ-56.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.462ТУ.
Импортный аналог: BM100-28, NEMO214068-28.

Основные технические характеристики транзистора КТ971А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 330 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т971А, КТ971А:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. СР. max h21Э UКЭ
нас.
IКЭR IЭБО f гp. PВЫХ КУР
А А В В В В Вт   В мА мА МГц Вт дБ °С °С
2Т971А n-p-n 17 - 50 - 4 28 200 - - <60 <30 >220 >150 >3 125 -60…+125
КТ971А n-p-n 17 - 50 - 4 28 200 - - <60 <30 >220 >150 >3 85 -40…+85


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

 

Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Матеріал корпусуМеталоскло
Максимально допустима напруга колектор-емітер50 В
Максимально допустимий струм колектора17 А
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Тип монтажуРучний монтаж
ВиробникPULSAR
  • Ціна: 1 101,80 ₴