КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303Е
Транзистори КП303Е кремнієві епітаксиально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу.
Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором.
Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип корпусу: КТ-1-12.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ», категорія розміщення «2.1».
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  — приймання «1» — Ц20.336.601ТУ.
Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 10 років із моменту виготовлення.
Імпортний аналог: MFE3006, MPF107.

Основні технічні характеристики транзизора КП303Е:
• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;
• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт;
• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 8 В;
• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;
• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В;
• Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 30 В;
• Iс — Строк (постійний): 20 мА;
• Iс нач — Початковий струм стоку: 5...20 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менш ніж 4 мА/В;
• С11і — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ;
• С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелом у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 ПФ;
• Кш — Коефіцієнт шуму транзистори: не більш ніж 4 дБ на частоті 100 МГц

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е  КП303Ж, КП303І:

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:
• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистора.
• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.
• UСІ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.
• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.
• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.
• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.
• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.
• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистора в схемі із загальним споконвом.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.
• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.
• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.
• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.
• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• Т ОКР - температура довкілля.