Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (сьогодні).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
2Т709А (5-е приймання) транзистори кремнієві мезапланарні структури p-n-p складові підсилювальні, фото 1

2Т709А (5-е приймання) транзистори кремнієві мезапланарні структури p-n-p складові підсилювальні

  • Немає в наявності
  • Код: 2Т709А

114,80 ₴

Компанія тимчасово не приймає замовлення

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
2Т709А (5-е приймання) транзистори кремнієві мезапланарні структури p-n-p складові підсилювальні
2Т709А (5-е приймання) транзистори кремнієві мезапланарні структури p-n-p складові підсилювальніНемає в наявності
114,80 ₴
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

2Т709А


Транзистори 2Т709А кремнієві мезапланарні структури p-n-p складані посилені.
Призначені для застосування в підсилювачах і перемикальних пристроях апаратури спеціального призначення.
Випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип корпусу: КТ-8 (ТО-66).
Маса транзизора не більш ніж 9,0 г.
Тип кліматичного виконання: «УХЛ».
Категорія якості: «ВП», «ОСМ».
Технічні умови:
  - приймання «ВП» АА0.339.141ТУ;
  — приймання «ОСМ» АА0.339.141ТУ, П0.070.052.
Завубільний аналог: BDX86C.

Гарантійний термін зберігання транзисторів — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.
Гарантійне напрацювання:
  - 25 000 годин — у всіх режимах, що допускаються ТУ;
  — 40000 годин — у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т709А:
• Структура транзизора: p-n-p
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 30 Вт;
• fг — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 3 мГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 100 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 500

Характеристики транзисторів 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В:

Тип
транзизора
Структура Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C Значення параметрів під час Тп = 25 °C
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
2Т709А p-n-p 10 20 100 100 5 2 (30) >500 <2 - - - >3 <230 <460 150 -60...+125
2Т709Б p-n-p 10 20 80 80 5 2 (30) >750 <2 - - - >3 <230 <460 150 -60...+125
2Т709В p-n-p 10 20 60 60 5 2 (30) >750 <2 - - - >3 <230 <460 150 -60...+125


Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер у разі заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.

Основні
Тип транзистораБіполярний
Тип біполярного транзистораN-P-N
Матеріал корпусуМеталокераміка
Максимально допустима напруга колектор-емітер250 В
Максимальна потужність розсіювання60 Вт
Користувальницькі характеристики
ВиконанняДискретне
NPNPOWER TRANSISTOR
Технічний описзавантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 114,80 ₴