Продавець CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення. розвиває свій бізнес на Prom.ua 13 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
4287 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 12.02).

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Кошик
влево
  • AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3, фото 3
  • AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3, фото 4
вправо
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3

AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3

  • В наявності
  • Код: 120M1045 sokh

1 007,60 ₴

+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3В наявності
1 007,60 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-40-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3

 

  

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET  
Technology: SiC
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Id - Continuous Drain Current: 52 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 59 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 7 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.7 V
Qg - Gate Charge: 57 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 228 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolSiC
Packaging: Tube
Brand: Infineon Technologies  
Configuration: Single  
Fall Time: 13 ns  
Forward Transconductance - Min: 11.1 S  
Product Type: MOSFET  
Rise Time: 32 ns  
Series: AIMW120R045  
240  
Subcategory: MOSFETs  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns  
Part # Aliases: AIMW120R045M1 SP002472666  
Unit Weight:

6 g

 

СПЕЦИФІКАЦІЯ
Показати схожі продукти (7452)
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES

Тип транзизора
N-MOSFET

Технологія
CoolSiC™, SiC

Полярність
польовий

Напруга сток-витік
1,2кВ

Струм стоку
36А

Струм стоку в імпульсному режимі
130А

Розсіювана потужність
114Вт

Корпус
TO247

Напруга затвор-витік
-7...20В

Опір у відкритому стані
75мОм

Монтаж
THT

Вид каналу
збагачений

Основні
ВиробникInfineon
Матеріал корпусуМеталокераміка
Країна виробникКитай
Тип монтажуВставний
Максимальна потужність розсіювання305 Вт
Тип транзистораБіполярний
Максимально допустима напруга стік-витік650 В
Максимально допустимий струм стоку80 А
Користувацькi характеристики
Data sheet:завантажити PDF в специфікації
  • Ціна: 1 007,60 ₴
  • Спосіб упаковки: польоту 30 шт.

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner