влевовправо
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
- В наявності
- Код: 120M1045 sokh
1 068,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3В наявності
1 068,30 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
| Manufacturer: | Infineon | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Technology: | SiC | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-247-3 | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 7 V, + 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V | |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 228 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Tradename: | CoolSiC | |
| Packaging: | Tube | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 13 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 11.1 S | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Rise Time: | 32 ns | |
| Series: | AIMW120R045 | |
| 240 | ||
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns | |
| Part # Aliases: | AIMW120R045M1 SP002472666 | |
| Unit Weight: |
6 g |
СПЕЦИФІКАЦІЯ
Показати схожі продукти (7452)
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзизора
N-MOSFET
Технологія
CoolSiC™, SiC
Полярність
польовий
Напруга сток-витік
1,2кВ
Струм стоку
36А
Струм стоку в імпульсному режимі
130А
Розсіювана потужність
114Вт
Корпус
TO247
Напруга затвор-витік
-7...20В
Опір у відкритому стані
75мОм
Монтаж
THT
Вид каналу
збагачений
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Вставний |
| Максимальна потужність розсіювання | 305 Вт |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 1 068,30 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 30 шт.
