влевовправо

AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
- В наявності
- Код: 120M1045 sokh
1 007,60 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
Manufacturer: | Infineon | |
Product Category: | MOSFET | |
Technology: | SiC | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package/Case: | TO-247-3 | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | |
Id - Continuous Drain Current: | 52 A | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 7 V, + 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V | |
Qg - Gate Charge: | 57 nC | |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
Pd - Power Dissipation: | 228 W | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Tradename: | CoolSiC | |
Packaging: | Tube | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Configuration: | Single | |
Fall Time: | 13 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 11.1 S | |
Product Type: | MOSFET | |
Rise Time: | 32 ns | |
Series: | AIMW120R045 | |
240 | ||
Subcategory: | MOSFETs | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns | |
Part # Aliases: | AIMW120R045M1 SP002472666 | |
Unit Weight: |
6 g |
СПЕЦИФІКАЦІЯ
Показати схожі продукти (7452)
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзизора
N-MOSFET
Технологія
CoolSiC™, SiC
Полярність
польовий
Напруга сток-витік
1,2кВ
Струм стоку
36А
Струм стоку в імпульсному режимі
130А
Розсіювана потужність
114Вт
Корпус
TO247
Напруга затвор-витік
-7...20В
Опір у відкритому стані
75мОм
Монтаж
THT
Вид каналу
збагачений
Основні | |
---|---|
Виробник | Infineon |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Країна виробник | Китай |
Тип монтажу | Вставний |
Максимальна потужність розсіювання | 305 Вт |
Тип транзистора | Біполярний |
Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
Користувацькi характеристики | |
Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 1 007,60 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 30 шт.