влевовправо
FGA50T65 (або G50EF5) транзистор IGBT 650 V 100 A 240W
- В наявності
- Код: FGA50T65
253,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
FGA50T65 (або G50EF5) транзистор IGBT 650 V 100 A 240WВ наявності
253,30 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
FGA50T65 транзистор IGBT 650 V 100 A 240W
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| RoHS: | Details | |
| Technology: | Si | |
| Package/Case: | TO-247 | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 25 V | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A | |
| Pd - Power Dissipation: | 240 W | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Series: | FGH50T65UPD | |
| Packaging: | Tube | |
| Brand: | onsemi / Fairchild | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| 30 | ||
| Subcategory: | IGBTs | |
| Unit Weight: | 6,390 g |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Максимальна потужність розсіювання | 240 Вт |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 253,30 ₴
