влевовправо

40N120 FL3 (onsemi) потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247
- Готово до відправки
- Код: 40N120FL3 kh rep
190,40 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-40-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
40N120 FL3 (onsemi) Transistors
IGBT (інтегральний біполярний транзистор з ізольованим затвором) з n-канальною провідністю
1200V, 40A 348W TO247
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
Manufacturer: | onsemi | |
Product Category: | MOSFET | |
RoHS: | Details | |
Technology: | SiC | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package/Case: | TO-247-3 | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | |
Id - Continuous Drain Current: | 60 A | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 15 V, + 25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V | |
Qg - Gate Charge: | 106 nC | |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
Pd - Power Dissipation: | 348 W | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Brand: | onsemi | |
Product Type: | MOSFET | |
30 | ||
Subcategory: | MOSFETs | |
Unit Weight: | 12,117 g |
Основні | |
---|---|
Тип монтажу | Вставний |
Виробник | ON Semiconductor |
Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
Максимальна потужність розсіювання | 348 Вт |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Тип транзистора | Біполярний |
Користувацькi характеристики | |
Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 190,40 ₴