влевовправо

40N120 FL3 (onsemi) потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 348W TO247
- Готово до відправки
- Код: 40N120FL3 kh rep
196,50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
40N120 FL3 (onsemi) Transistors
IGBT (інтегральний біполярний транзистор з ізольованим затвором) з n-канальною провідністю
1200V, 40A 348W TO247
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Manufacturer: | onsemi | |
| Product Category: | MOSFET | |
| RoHS: | Details | |
| Technology: | SiC | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-247-3 | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 15 V, + 25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V | |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Brand: | onsemi | |
| Product Type: | MOSFET | |
| 30 | ||
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Unit Weight: | 12,117 g |
| Основні | |
|---|---|
| Тип монтажу | Вставний |
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 348 Вт |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 196,50 ₴



