КТ830А (Au) транзистор PNP (4A 35В) Au КТ-3 (ТО-39)

КТ830А транзистор PNP (4A 35В) Au КТ-3 (ТО-39) 

КТ830А
Транзистори КТ830А кремнієві мезаепітаційно-планарні структури p-n-p, перемикачні.
Призначені для застосування в підсилювачах потужності, джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення.
Корпус металевий зі скляними ізоляторами та гнучкими виведеннями.
Маркування нанесене цифро-букваним кодом на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 2,0 г.
Тип корпусу: КТ-2-7 (TO-39).
Кліматичне виготовлення: «УХЛ», категорія розміщення «2.1».
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
  — приймання «1» — АДБК.432150.125ТУ.
Гарантійний термін зберігання транзизора не менш ніж 12 років від дня виготовлення.
Імпортний аналог: 2N4234, 2N5781.

Основні технічні характеристики транзизора КТ830А:
• Структура транзизора: p-n-p;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 5 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 35 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 4 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 100 мкА (35В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 25;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 1,2 Ом

Технічні характеристики транзисторів КТ830А, КТ830Б, КТ830В, КТ830Г:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.